IRS21867STRPBF

प्रकार	विवरण
उत्पाद की स्थिति:	Active
संचालित विन्यास:	Half-Bridge
चैनल प्रकार:	Independent
चालकों की संख्या:	2
गेट प्रकार:	IGBT, N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति:	10V ~ 20V
तर्क वोल्टेज - विल, विह:	0.8V, 2.5V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):	4A, 4A
निवेष का प्रकार:	CMOS, TTL
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप):	600 V
वृद्धि / गिरावट का समय (प्रकार):	22ns, 18ns
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-SOIC

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